当前位置：首页 > 产品中心

如何去除石墨表面的多晶硅

一种去除原生多晶硅棒端面石墨的装置及方法与流程

2019年10月23日多晶硅生长时，需用石墨夹头夹持细长硅芯下端，石墨夹头作为电极对硅芯通入高压电流，使硅芯发热，炉腔内的气相三氯氢硅和氢气在高热硅芯表面发生化学 2009年8月5日为了解决上述问题，本发明采用的方案为一种去除原生多晶硅棒端面石墨夹头的方法，先将多晶硅棒两端带有石墨夹头的原料敲下来，再将原料破碎成小块，然后一种去除原生多晶硅棒端面石墨的方法 X技术网

一种去除多晶硅中金属杂质的方法以及装置百度文库

2013年5月1日一种去除多晶硅中金属杂质的方法，包括如下步骤：（1）将原料硅在石墨坩埚中熔化；（2）将石墨板放置于熔融硅液的表面上，石墨板与外界直流电压的负极相 2020年5月24日主要技术方案为：一种去除原生多晶硅棒端面石墨的装置，包括: 机架、导轨、夹持机构、磨削驱动机构和磨头；导轨固定地设置在机架上；夹持机构设置在导轨一种去除原生多晶硅棒端面石墨的装置及方法专利检索地压气

[求助]如何去掉石墨？化工小木虫学术科研互动社区

在石墨表面长有片状镍，想把石墨除去，但是又不改变镍的晶型，石墨是微米级球形的。请教各位有没有好办法？小木虫登陆注册首页导读期刊发现社区招聘老师当前位置：首页 > 化工 > [求助]如何去掉石墨 2019年2月10日摘要: 应用于碳化硅陶瓷基复合材料 (SiC f /SiCCMC)表面的抗水氧腐蚀环境障涂层 (EBC)，在高速燃气冲刷等极端环境下长期服役后出现烧蚀、局部开裂或剥落等问题。为了循环再利用价格昂贵的CMC材料，亟待发展EBC修复技术，而去除原有EBC涂层是最重要和最基础的 SiC f /SiC表面环境障涂层的基体无损去除方法 csejournal

一种去除多晶硅碳头料中碳的方法百度学术

2010年6月9日本发明公开了一种去除多晶硅碳头料中碳的方法,主要是将碳头料破碎后分为三类,类物料为不含碳的硅块,其无需清洗处理;第二类物料为表面有不厚于1cm碳层的硅块,第三类物料为夹有碳层或其表面碳厚度超过1cm的硅块;上述第二,三类物料需经不同的碳硅分 Explore Zhihu Zhuanlan, a platform for free expression and creative writing知乎专栏随心写作，自由表达知乎

一种去除石墨表面氮化镓基化合物的方法百度学术

摘要：本申请公开了一种去除石墨盘表面氮化镓基化合物的方法,所述石墨盘放置在真空高温炉内,所述方法包括:升高温度至500℃900℃,使用N2分压,去除真空高温炉内及石墨盘上的杂质和水分;升高温度至1050℃1100℃,使用H2+N2混合气分压裂解氮化镓基化合物,同时去除氧化物;升高温度至1350℃1360℃,无分压 2020年6月30日步骤s202：将待清理lpcvd石英舟置入高温炉中。步骤s203：在预设温度下向所述高温炉中通入氯气，使所述lpcvd表面的多晶硅层与所述氯气进行反应。步骤s204：排出废气，得到去除所述多晶硅层一种LPCVD石英舟的清理方法及清理设备与流程 X

一种颗粒硅表面粉尘连续去除方法和装置与流程

2023年11月16日本发明属于多晶硅生产领域，具体涉及一种颗粒硅表面粉尘连续去除方法和装置。背景技术： 1、20世纪80年代美国联合碳化公司开发流化床法颗粒硅的工艺，改法产率高，相比于传统棒状硅，颗粒硅表面积大，按重量百分比由025％3％的粉末或者灰尘，实际生产过程中需对颗粒硅表面附着硅粉进行 2013年5月1日一种去除多晶硅中金属杂质的方法，包括如下步骤：（1）将原料硅在石墨坩埚中熔化；（2）将石墨板放置于熔融硅液的表面上，石墨板与外界直流电压的负极相接，石墨坩埚与外界直流电压的正极相接，所施加的直流电压为10～100V；（3）通电2～4h后，在一种去除多晶硅中金属杂质的方法以及装置百度文库

多晶硅的表面金属杂质引入探讨百度文库

多晶硅的表面金属杂质引入探讨响下游产品的各种性能，所以在多晶硅的生产过程中，尤其是产品出炉后的各个后续处理过程中，必须尽可能的避免在多晶硅中引入各种杂质，保证多晶硅不被污染。为了摸索多晶硅出炉后 2023年4月26日 2、方面，本申请提供一种去除碳化硅上石墨的方法，采用如下的技术方案： 3、一种去除碳化硅上石墨的方法，包括以下步骤： 4、s1、将带有石墨基底的碳化硅置于加热容器中； 5、s2、向加热容器中通入氧气，并抽真空； 6、s3、以阶梯升温保温一种去除碳化硅上石墨的方法与流程 X技术网

多晶硅清洗方法百度文库

2011年11月23日多晶硅清洗方法（57）摘要本发明实施例公开了一种多晶硅清洗方法，该方法包括：将多晶硅置于SC1清洗液中对其进行次清洗；采用纯水对所述多晶硅进行次漂洗；采用臭氧对所述多晶硅进行次干燥处理；将多晶硅置于硝酸和氢氟酸的混如何去除氧化硅表面疏水基团的方法去除氧化硅表面的疏水基团通常是为了提高其亲水性，使其在某些应用中（如生物医学、纳米技术等）能够更好地与水或极性物质相互作用。以下是一些去除氧化硅表面疏水基团的方法：1源自文库化学清洗：使用如何去除氧化硅表面疏水基团的方法百度文库

一种原生多晶硅碳硅分离工艺及其使用装置的制作方法

2018年7月7日而利用酸液浸泡去除石墨的方法 (cn3x、cn29、cn28等)，对环境污染严重，且分离出的多晶硅同样没有去除碳化硅层。本发明避免了这些问题，提供了一种经济实用的有效分离完整碳头料上的石墨与多晶硅并实现多晶硅太阳能多晶硅片表面污染物去除技术的研究来自知网喜欢 0 阅读量： 208 作者：陈贵财展开摘要 ,污染大,因此只在电子级硅片的清洗中继续使用本论文基于RCA清洗技术的原理,根据太阳能多晶硅片表面污染物的种类和特性,研究了一种由表面活性剂太阳能多晶硅片表面污染物去除技术的研究百度学术

半导体制造流程（四）硅淀积和刻蚀淀积多晶硅CSDN博客

2023年6月12日文章浏览阅读477次。如下图，将晶圆装在一个感应加热承载块上，通二氯硅烷和氢气，并在晶圆表面发生反应，并形成一层生长缓慢的单晶硅，无须抛光工艺。光刻多晶硅首先采用类似于外延的设备在晶圆上淀积多晶硅，然后再晶圆上涂上光刻胶，光刻并且刻蚀以选择性地去除多晶硅，现代工艺中 2016年2月5日石墨坩埚作为造渣精炼提纯多晶硅的主要载体[15]，其成本高且循环使用次数少，这是造渣精炼游小刚，等：采用原位反应法在石墨坩埚表面制备SiC涂层成本居高不下的一个主要原因。在造渣精炼过程中，石墨坩埚的消耗主要是因为大气条件下的高温熔炼使坩采用原位反应法在石墨坩埚表面制备SiC 涂层豆丁网

[求助]如何去掉石墨？化工小木虫学术科研互动社区

一种去除多晶硅碳头料中碳的方法百度学术

2010年6月9日主权项：一种去除多晶硅碳头料中碳的方法,其特征在于,包括如下步骤：(1)碳头料破碎后分类：将破碎后的碳头料分为三类：类物料为不含碳的硅块,第二类物料为表面有不厚于1cm碳层的硅块,第三类物料为夹有碳层或其表面碳厚度超过1cm的硅块；(2)分类处理：(a)类物料无需清洗处理；(b)第二 Explore Zhihu Zhuanlan, a platform for free expression and creative writing知乎专栏随心写作，自由表达知乎