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碳化硅中化学成分和杂质含量的分析

JC/T 21492012《高纯碳化硅粉体成分分析方法》标准在线

本标准规定了高纯碳化硅粉体中二氧化硅、游离硅、游离碳、铝、砷、钙、铬、铜、铁、钾、镁、锰、钠、镍、铅、钛、锌等的测定方法。本标准适用于碳化硅含量范围为999 碳化硅化学成分分析一、碳化硅含量测定的操作步骤： 1、试样的制备：取有代表性的样品10g左右，置102℃的烘箱中，烘半小时，取出放入干燥器内冷却备用。 2、清洗烘干铂碳化硅化学成分分析百度文库

碳化硅粉末中杂质元素的测定百度学术

高性能的陶瓷材料例如SiC,用于高温技术是很重要的它可用于发动机,核聚变装置及微电子工业中在这些应用中,已经了解到各种微量杂质元素对最终产品的性能有相当大的影响然而 2011年3月22日摘要：介绍了六个SiC含量测定的国家标准和碳化硅原料以及含碳化硅耐火材料中SiC含量测定的化学分析方法。关键词：SiC含量测试方法碳化硅原料含碳化硅耐碳化硅含量的测定综述豆丁网

T/CASA 009《半绝缘 SiC 材料中痕量杂质浓度及分布的二

2019年10月10日出口碳化硅分析方法碳化硅含量的测定 23 术语及定义 GB/T 14264、GB/T 22461 界定的以及下列术语和定义适用本文件。 24 方法原理该部分内容对应《标准》的第 4 章内容，详细阐述了二次离子质谱仪检测半导体碳化硅材料中的痕量杂质铝、钒浓度 2021年11月17日实验结果表明，Acheson法制备的SiC粉体中O、游离Si、游离C、Fe杂质含量较高，其他微量杂质元素含量顺序为：Ti>Al>Ni> V此外，O杂质主要以非晶SiO 2的形式覆盖在SiC颗粒表面。 Fe杂质以Fe 2 O 3、Fe的形式存在于SiC颗粒周围x Si y、Fe x Si y Ti z和Fe x Al y Si z相。杂质元素碳化硅中主要杂质元素的存在形式,Ceramics International

碳化硅检测项目及相关标准和方法二氧化硅氧化镁碳化硅

2024年3月20日碳化硅的检测主要包括两方面：一是对碳化硅的化学成分进行分析，以确定其纯度和杂质含量；二是对碳化硅的物理性能进行测试，以确定其硬度、密度、热膨胀系数、导热系数、电阻率等参数。本文主要介绍碳化硅的化学分析方法，即根据GB/T 碳化硅化学分析方法计算结果精确到001。允许误差按表1的规定。试样经氢氟酸硝酸硫酸处理使游离硅及二氧化硅生成挥发性的四氟化硅逸出；F400以细的微粉只用氢氟酸处理，用盐酸浸取使表面杂质溶解，测定残留物量即为碳化硅的含量（F400以细的微粉需碳化硅化学分析方法百度文库

国内外碳化硅陶瓷材料研究与应用进展 CERADIR 先

2022年4月24日国内外碳化硅陶瓷材料研究与应用进展李辰冉;谢志鹏;康国兴;安迪;魏红康;赵林分享摘要：碳化硅陶瓷材料具有良好的耐磨性、导热性、抗氧化性及优异的高温力学性能，被广泛应用于能源环 2021年6月3日本标准做了如下编辑性修改: ——— 《》。将标准名称修改为普通磨料碳化硅化学分析方法 Ⅲ / — GBT3045 2017 本标准由中国机械工业联合会提出。 ( / ) 。本标准由全国磨料磨具标准化技术委员会 SACTC139归口 : 、、本标准起草单位郑州磨料磨具磨 GB╱T 30452017 普通磨料碳化硅化学分析方法pdf全文可读

GB/T 411532021 碳化硅单晶中硼、铝、氮杂质含量的测定

2024年6月17日 GB/T 411532021 引用标准 GB/T 14264 GB/T 22461 GB/T 32267 适用范围本文件规定了碳化硅单晶中硼、铝、氮杂质含量的二次离子质谱测试方法。本文件适用于碳化硅单晶中硼、铝、氮杂质含量的定量分析,测定范围为硼含量不小于5×1013 cm3、铝含量不小于5×1013cm3、氮 2024年4月10日德国标准化学会，关于碳化硅中杂质的标准 DIN 51088:2007 陶瓷原料和基本材料的测试用发射光谱测定分析和直流电弧中的激励测定碳化硅粉末和颗粒碳化硅中金属微量杂质的质量分率 DIN EN 15979:201104 陶瓷原材料和基础材料的检测直流电弧激励OES直接测定碳化硅碳化硅中杂质标准分析测试百科网

碳化硅中杂质元素氮的测定百度学术

碳化硅是一种重要的化工原料,应用广泛,氮是其半绝缘性能的直接判定依据,目前尚无相关检测标准碳化硅中的氮在浓硫酸和混合催化剂的作用下,经氧化还原反应全部转化为铵态氮消解后的溶液,碱化蒸馏出的氨被硼酸吸收用标准盐酸溶液滴定,根据标准盐酸溶液 2019年3月13日碳化硅化学成分分析一、碳化硅含量测定的操作步骤：1、试样的制备：取有代表性的样品10g左右，置102的烘箱中，烘半小时，取出放入干燥器内冷却备用。2、清洗烘干铂皿。将铂皿浸入盛有蒸馏水的烧杯中，于低温炉中煮沸1020，然后于烘箱中干燥，取出放入干燥器内冷却备用。碳化硅化学成分分析豆丁网

重结晶碳化硅烧成中碳化硅的分解现象、热力学条件及对蒸发

2024年2月28日由于过量杂质和烧成工艺的特殊条件而导致在重结晶碳化硅的烧成中碳化硅颗粒的分解，当分解达到一定程度就影响重结晶的蒸发与凝聚。图5 可以看到本试验蒸发凝聚不完全的试样，说明在此试验的条件下碳化硅的分解已经影响到蒸发凝聚的过程。 4 碳化硅的应用 41 碳化硅在陶瓷中的应用目前，碳化硅陶瓷作为一种新型的结构性陶瓷材料，具有许多金属等结构材料无法比拟的性能，如：高温强度高、低热膨胀系数、优异的耐磨性、耐腐蚀性强、高硬度、高温蠕变小。因此在许多领域有着非常广泛的碳化硅的制备及应用最新研究进展汉斯出版社

YS/T 16002023 碳化硅单晶中痕量杂质元素含量的测定辉光

2023年5月22日 YS/T 16002023 在中国标准分类中归属于: H17 半金属及半导体材料分析方法，在国际标准分类中归属于: 7704030 金属材料化学分析。 YS/T 16002023 碳化硅单晶中痕量杂质元素含量的测定辉光放电质谱法的最新版本是哪一版？最新版本是 YS/T 年5月20日行业标准《碳化硅单晶中痕量杂质元素含量的测定辉光放电质谱法》（送审稿）编制说明一工作简况1立项目的及意义碳化硅具有宽的禁带宽度、高热导率、高击穿电场、高抗辐射能力、高电子饱和速率等特点，适用于高温、高频、抗辐射及大功率器件的制作，是第三代宽带隙半导体材料的重要组成碳化硅单晶中痕量杂质元素含量的测定辉光放电质谱法编制说明

GB/T 411532021 碳化硅单晶中硼、铝、氮杂质含量的测定

4 天之前本文件适用于碳化硅单晶中硼、铝、氮杂质含量的定量分析,测定范围为硼含量不小于5×1013 cm3、铝含量不小于5×1013cm3、氮含量不小于5×1015cm3,元素浓度(原子个数百分比)不大于1%。注1:碳化硅单晶中待测元素的含量以每立方厘米中的原子数计。2019年11月25日增加了碳化硅结晶块中其他化学成分的测定删除了国际标准的附录A,因为其仅指明了其他可使用的方法,本标准已有部分在条文中进行了规定; 删除了国际标准的附录B,其规定了碳化硅化学分析因测试技术变化的允许偏差,本标准在条文中进行了规定。GBT 30452017 普通磨料碳化硅化学分析方法pdf文档分享网